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美國NeuroNexus光遺傳電極
- 產(chǎn)品型號：
- 更新時(shí)間：2024-11-07
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產(chǎn)品介紹
光遺傳電極-美國NeuroNexus
產(chǎn)品介紹
NeuroNexus擁有很多不同的產(chǎn)品來支持光遺傳學(xué)的研究。我們的光遺傳產(chǎn)品包括光電極、植入式光纖、光源系統(tǒng)及其配件。如果您是光遺傳學(xué)領(lǐng)域的新手，我們還為您提供多種不同的光遺傳學(xué)產(chǎn)品讓您順利開始您的科學(xué)研究。
任何標(biāo)準(zhǔn)電極陣列都可以升級為一個(gè)光電極，使得光刺激和神經(jīng)記錄同步進(jìn)行。將光纖（直徑105μm）放在電極柄的頂部，光纖的*位于電極記錄位點(diǎn)以上200μm（距離可根據(jù)要求定制）。
NeuroNexus現(xiàn)在提供用于擴(kuò)展光遺傳學(xué)應(yīng)用的多光纖電極，其結(jié)構(gòu)緊湊并且堅(jiān)固。使用蝕刻光纖（65μm），每個(gè)電極（每個(gè)電極陣列柄一根光纖）可以連接多達(dá)8根光纖。由于光纖和NeuroNexus微電極陣列的物理限制，所以會有一些設(shè)計(jì)限制。多光纖光電僅適用于LP（無套管）package。
規(guī)格：
| 光纖 | 熔融石英, 50 μm or 105μm 核心, 多模 |
| 外徑 | 62.5 μm (蝕刻), 125 μm, or 400 μm |
| 重量(連接器) | < 0.5 g |
| 傳輸率 | > 75% (50 μm 核心> 到 105 μm 核心) |
| 數(shù)值孔徑 | 0.22, 0.66 |
| 持續(xù)性 | 經(jīng)過40次連接后傳輸變化< 5% |
| 旋轉(zhuǎn)測試 | 1次旋轉(zhuǎn)后變化< 2% |
| 連接強(qiáng)度 | 掙脫力>300g（典型） |